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インジウム

カドミウム - インジウム -
Ga
In
Tl  
 
 
一般特性
名称, 記号, 番号インジウム, In, 49
分類卑金属
, 周期, ブロック13 (IIIA), 5 , p
密度, 硬度7310 kg/m3, 1.2
光沢ある銀色系灰色
原子特性
原子量114.818 amu
原子半径 (計測値)155 (156) pm
共有結合半径144 pm
VDW半径193 pm
電子配置[Kr]44d10 5s2 5p1
電子殻2, 8, 18, 18, 3
酸化数(酸化物)3(両性)
結晶構造正方晶
物理特性
固体
融点429.75 K (313.88 °F)
沸点2345 K (3762 °F)
モル体積15.76 ×10-3 m3/mol
気化熱231.5 kJ/mol
融解熱3.263 kJ/mol
蒸気圧1.42 E-17 Pa (429 K)
音の伝わる速さ1215 m/s (293.15 K)
その他
電気陰性度1.78 (ポーリング)
比熱容量233 J/(kg*K)
導電率11.6 106/m Ω
熱伝導率81.6 W/(m*K)
第1ION化エネルギー558.3 kJ/mol
第2ION化エネルギー1820.7 kJ/mol
第3ION化エネルギー2704 kJ/mol
第4ION化エネルギー5210 kJ/mol
(比較的)安定同位体
同位体NA半減期DMDE MeVDP
113In4.3%中性子64個で安定
115In95.7%4.41 E14 β-0.495115Sn
注記がない限り国際単位系使用及び標準状態下。

インジウムIndium):原子番号 49 の元素元素記号In。III族元素の一つ。銀白色の柔らかい金属。常温で安定な結晶構造は、正方晶。比重 7.3、融点は摂氏 156.4℃と低い。常温では空気中で安定である。には溶けるが、アルカリや水とは反応しない。

シリコンゲルマニウムに添加(ドープ)してp型半導体を形成する。融点が低いので、低融点合金であるはんだなどに利用される。またインジウムの化合物では、InPなどの化合物半導体が注目を集めている。

インジウムの化合物





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