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バンドギャップ（Band gap、禁止帯、単にギャップとも）とは、 半導体、絶縁体のバンド構造において、電子に占有された最も高いバンドの頂上から、最も低い空のバンドの底までのエネルギーの差である。より広い意味では、バンド構造におけるバンドとバンドの間のエネルギーのとび（エネルギー差）のことを言い、このバンドのとび（バンドギャップ）中にフェルミレベルが存在する状態が絶縁体（または半導体）であると言うこともできる。
これと似た用語としてエネルギーギャップ(Energy gap)がある。固体電子論（バンド理論）では、バンド構造におけるバンドとバンドの間のエネルギーのとびのことであるが（広義のバンドギャップとほぼ同じ意味合いとなる）、それ以外の意味をもつ場合がある（例：超伝導におけるエネルギーギャップなど）。
バンド計算における局所密度近似では、バンドギャップは実験値と比べると常に過小評価され、実験値と一致しない（例：シリコンのバンドギャップの実験値は、1.17 eV、これに対しLDAにおけるバンドギャップは、0.4～0.5 eV程度の値となる←常に過小評価となるが、系によりその程度は異なる）。