炭化ケイ素(Silicon carbide, SiC)：炭素（C）とケイ素（Si）の化合物（組成比は、1:1）。天然には殆ど存在せず、隕石中にわずかに存在が確認される。鉱物学上「moissanite」と呼ばれる。大気圧では、液相は存在せず、2000℃以上の高温で昇華する。
19世紀の終わりごろには大量生産されるようになり、耐熱性・硬度・化学的安定性に優れていることから、研磨剤、高温発熱体、耐火物として使われてきた。
SiとCは、いずれもIV族原子であることから、基本的には共有結合性であるが、電気陰性度の違いによりイオン性を持つため、1対1の定比化合物として安定に存在する。
結晶構造は、六方最密充填構造と立方構造があり、さらに層の繰返し周期の違いなどにより、数多くの結晶多形（ポリタイプ）が存在する。
1960年代頃から半導体素子としての研究が始まったが、当時は工業化に適する大きさの単結晶が得られず、一時は研究が途絶えた。しかし、1980年代以降、結晶成長技術の発展により研究開発が再開された。現在では、バンドギャップが広く、絶縁破壊電界が高い、また熱伝導度が大きいことにより、パワー半導体素子としての研究開発が盛んである。